Mosfet 540
I 10 migliori prodotti di settembre 2025
Ultimo aggiornamento:
20 settembre 2025
CG CHIPS GATE
IRF540 20Pcs New IRF540 Irf 540 IRF540N Power Mosfet 33A 100V To-220 Ir To-220
99
QUALITÀ MASSIMA
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#1 VINCITORE
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diversi Marchi
IC CIRCUITO INTEGRATO - IRF540N - IRF 540N - IRF 540 N - TO220
98
QUALITÀ MASSIMA
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#2
N//B
Modulo Interruttore MOSFET a 4 Canali/1 Canale MOSFET IRF540 V4.0+ per Arduino (4 Canali)
95
QUALITÀ OTTIMA
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#3
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【1】 Interruttore MOSFET a 4 canali/1 canale
【2】MOSFET è un dispositivo elettronico con buone caratteristiche di commutazione.
【3】 È ampiamente utilizzato nei circuiti, come la commutazione di alimentatori, azionamenti di motori, dimmer per illuminazione e così via.
【4】 In alcuni casi estremi, può essere utilizzato per controllare il circuito 100 V/33 A CC. Si suggerisce che la tensione CC controllata sia superiore a 9 V.
【5】 Limitato dai principi di funzionamento, il MOSFET può essere utilizzato solo per controllare il circuito CC, come lo schermo LED CC e così via, ma non è adatto per il controllo del circuito CA.
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Generic
10 pc transistor ad effetto di campo (MOSFET) N-channel 55V 540mA SOT-23 (SOT-23-3) BSS670S2L H6327
91
QUALITÀ DISTINTA
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#4
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10 pc transistor ad effetto di campo (MOSFET) N-channel 55V 540mA SOT-23 (SOT-23-3) BSS670S2L H6327
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Innfeeltech
Innfeeltech 10 pezzi MOSFET transistor IRF4905 74A 55V effetto campo tubi P-canale To-220 di potenza MOSFET Feld effetto transistor raddrizzatore
18% Sconto
Spedizione gratuita
83
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#5
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Il pacchetto include: 10 pezzi IRF4905 transistor MOSFET
Regolamenti: Corrente di scarico MAX 74A, Tensione MAX Vds 55V, Potenza Max 200W
Temperatura di esercizio: da -55 °C a +175 °C
Polarità del transistor: Transistor a canale P PMOS. Pacchetto incapsulato To-220AB
Applicazione: Si applica alle applicazioni di commutazione ad alta potenza e di amplificazione del segnale nei dispositivi elettronici.
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AFRCNEJJ
AFRCNEJJ 5 pz IRF540 Transistor 540 IRF540PBF TO220 MOSFET MOSFT FET 100 V 33A TO-220 Transistor ad Effetto di Campo Set di Componenti Elettronici
82
QUALITÀ AFFIDABILE
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#6
Generic
5 Pz transistor ad effetto di campo (MOSFET) 2 N-channel 20V 540mA SOT-563 NTZD3154NT1G
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QUALITÀ BUONA
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#7
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5 Pz transistor ad effetto di campo (MOSFET) 2 N-channel 20V 540mA SOT-563 NTZD3154NT1G
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ARCELI
ARCELI Ramel di Ricambio AD Alta RISCOSSIONE AD Alta RISCOSSIONE da 210A 3D RAMPA 1.4
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QUALITÀ BUONA
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#8
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Modulo di potenza del letto riscaldato Basato sul potente MOSFET HA210NO6
Dimensioni: 60 * 50 mm; Fori di montaggio: diametro 3,2 mm, per viti M3; Distanza tra i fori: 54 * 43 mm
Voltaggio: 12V-24V Corrente massima con raffreddamento attivo: 210A
MOSFET molto potente per resistere a una corrente superiore a quella normale RAMPS o altri controller di stampanti 3D in grado di gestire
Questo modulo è basato sul MOSFET di potenza e consente il controllo PID del letto riscaldato (i relè CC-CC di solito non consentono questo)
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Quystetes
Quystetes Kit di 50 transistor Mosfet serie IRF, 10 tipi, tra cui IRFZ44/510/520/530/540/640/740/840/3205/9540
71
QUALITÀ BUONA
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#9
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Valutazione dinamica DV/DT,
Ogni modello di transistor è chiaramente etichettato per una facile identificazione.
Nove transistor a canale N e a canale P con all'accensione molto bassa per area di silicio.
Questo pacchetto ha 50 transistor e 10 serie IRF, solo una combinazione per soddisfare le vostre esigenze.
Professionisti e dilettanti che i MOSFET di potenza offrono estrema efficienza e affidabilità.
11,87 € SU AMAZON
IXYS
IXFP20N85X Transistor: N-MOSFET unipolare 850V 20A 540W TO220-3 190ns IXYS
69
QUALITÀ BUONA
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#10
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Carico della porta: 63nC
Genere di confezione: tubo
Genere di canale: arricchito
Proprieta degli elementi semiconduttori: ultra junction x-class
Tempo di prontitudine: 190ns
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mosfet