Mosfet N Channel
I 10 migliori prodotti di maggio 2025
Ultimo aggiornamento:
14 maggio 2025
HUAREW
HUAREW 10 pezzi IRFZ44N transistor MOSFET di potenza raddrizzatore a canale N 49A 55V
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99
QUALITÀ MASSIMA
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#1 VINCITORE
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HUAREW IRFZ44N MOSFET Transistor
Confezione: 10 pezzi
Tipo: canale N
ID corrente di drenaggio: 49A
Tensione di drenaggio Vds: 55V
8,99 € SU AMAZON
AUKENIEN
AUKENIEN Kit Transistor Mosfet 12 Valori 60pezzi IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF820 IRF830 IRF840 IRF3205 IRF9540N N P Channel Mosfet IRF TO-220
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98
QUALITÀ MASSIMA
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#2
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AUKENIEN 12 Valori Mosfet Power Transistor Assortimento Kit
Modello transistor Mosfet: IRFZ44N (49A/55V), IRF510N (5.6A/100V), IRF520N (9.7A/100V), IRF530N (17A/100V), IRF540N (33A/100V), IRF640N (18A/200V), IRF740 10A/400V), IRF820 (2.5A/500V), IRF830 (4.5A/500V), IRF840 (8A/500V), IRF3205 (110A/55V), IRF9540N (23A/100V)
Il transistor Mosfet (pacchetto TO-220) con certificazione RoHS completa
I transistor Mosfet con certificazione RoHS completa sono pratici, di alta precisione e stabilità
Cosa ottieni: kit di assortimento di transistor Mosfet con una pratica confezione da riporre e utilizzare comodamente
20,99 € SU AMAZON
VGOL
VGOL AO3400 A09T 5.7A 30V N-Channel P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Compatibile con MOSFET SMD Transistor AO3400 SOT-23 50PCS
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96
QUALITÀ SUPERIORE
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#3
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Applicazione: Tipicamente impiegato in applicazioni ad alta frequenza come amplificazione RF, elaborazione del segnale e applicazioni di gestione dell'alimentazione.
Pacchetto: Protetto in un sacchetto antistatico che offre protezione elettrostatica, sicurezza ESD e una durata di conservazione prolungata.
Specifica: N Canale Transistor Tensione: 30V e Corrente: 5.7A, Temperatura minima -55°C, temperatura massima 150°C ± 30°C.
NOTA: l'esposizione a condizioni di valutazione massime assolute per periodi prolungati può influire sull'affidabilità del dispositivo
11,77 € SU AMAZON
HUABAN
HUABAN 10 pezzi IRFZ44N Vdss=55V Rds (on) = 0,0175 ohm Id= 49A TO220 Power N-Channel MOSFET Transistor
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91
QUALITÀ DISTINTA
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#4
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MOSFET a canale N
Numero parte: IRFZ44N
Vdss=55V, Rds (on) = 0,0175 ohm, Id=49A
Quantità della confezione: 10 pezzi
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DollaTek
DollaTek 6 pezzi IRFP260N N-Channel MOSFET Transistor 50A 200V A 247AC
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QUALITÀ AFFIDABILE
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#5
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HEXFET di quinta generazione da International Raddrizzatore utilizzano.
Tecniche di lavorazione avanzate per ottenere una resistenza estremamente bassa per area di silicio.
Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione veloce e il design del dispositivo robusto che HEXFET Power,temperatura di funzionamento 175°C.
I MOSFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Il TO-247 è simile ma superiore al precedente pacchetto TO-218 a causa del suo foro di montaggio isolato.
8,99 € SU AMAZON
The Lord of the Tools
The Lord of the Tools 20PCS IRLZ34N MOSFET Transistor N-Channel ESD Nominale TO-220 30A 55V 3Pin Internazionale Raddrizzatore Di Alimentazione Per Interruttore Elettronico Raddrizzatore Controllabile
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QUALITÀ AFFIDABILE
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#6
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Modello : IRLZ34N; Id corrente di scarico continua : 30 A; Tensione sorgente di scarico Vds : 55 V; Polarità del transistor : Canale N.
Materiale durevole : Il transistor è realizzato in materiale semiconduttore di ossido di metallo, che ha una buona stabilità termica e una lunga durata.
Tecnologia di processo avanzata : Il transistor è un tipo di componente elettronico di precisione con elevata resistenza di ingresso, basso rumore, basso consumo energetico e un'ampia gamma dinamica.
Applicazione : è un dispositivo a semiconduttore di potenza comunemente usato nei circuiti elettronici, che può essere utilizzato come interruttori elettronici, raddrizzatori controllabili, ecc.
Multifunzione : Raddrizzatore a canale N con molteplici funzioni come rilevamento, rettifica, amplificazione, commutazione, stabilizzazione della tensione e modulazione del segnale, ampiamente utilizzato nei circuiti integrati su larga scala e su larga scala.
18,29 € SU AMAZON
ECSiNG
ECSiNG 10x Transistor MOSFET N-Channel IRF540N ESD Nominale TO-220 33A 100V 3Pin Raddrizzatore Internazionale Di Potenza Per l'industria Domestica E Il Fai-da-te
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#7
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Modello : IRF540N; Id corrente di scarico continua : 33 A; Tensione sorgente di scarico Vds : 100 V; Polarità del transistor : Canale N.
Materiale durevole : Il transistor è realizzato in materiale semiconduttore di ossido di metallo, che ha una buona stabilità termica e una lunga durata.
Tecnologia di processo avanzata : Il transistor è un tipo di componente elettronico di precisione con elevata resistenza di ingresso, basso rumore, basso consumo energetico e un'ampia gamma dinamica.
Applicazione : Il tubo MOSFET è una sorta di elemento di controllo della tensione. Questi dispositivi sono adatti per alimentatori a commutazione, amplificatori audio, controllo di motori CC e applicazioni con potenza di commutazione variabile.
Multifunzione : Raddrizzatore a canale N con molteplici funzioni come rilevamento, rettifica, amplificazione, commutazione, stabilizzazione della tensione e modulazione del segnale, ampiamente utilizzato nei circuiti integrati su larga scala e su larga scala.
10,29 € SU AMAZON
HUABAN
HUABAN 10 pezzi FQP50N06 50N06 Vdss=60V Rds (on) = 0,022 ohm Id= 50A TO220 Power N-Channel MOSFET Transistor
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#8
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MOSFET a canale N
Numero parte: FQP50N06
Vdss=60V, Rds (on) = 0,022 ohm, Id=50A
Quantità della confezione: 10 pezzi
8,00 € SU AMAZON
MMMO
Kit di 5 MOSFET N-Channel IRF540N
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QUALITÀ BUONA
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#9
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📦 5 MOSFET N-Channel IRF540N in formato TO-220
✉️ Componenti protetti in busta antistatica richiudibile
🔧 Specifiche tecniche riportate in descrizione
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CHANZON
Chanzon 100 pezzi 2N7000 TO-92 SiC Mosfet MOS N-Channel Transistor n-fet 200mA
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#10
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Panoramica: transistor TO92 Mosfet tipo N 2N7000, corrente: 200 mA, tensione: 60V
Contrassegno: 2N7000 Mos Fet, transistor nmos originale Triodo bipolareA giunzione per 2n 7000
Per: progetto fai da te elettronico
7,99 € SU AMAZON
mosfet n-channel
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